• Характеристики

Тип памяти	DDR4
Форм-фактор	DIMM 288-контактный
Тактовая частота	2666 МГц
Пропускная способность	21300 МБ/с
Объем	1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECC	нет
Поддержка XMP	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
CAS Latency (CL)	19
RAS to CAS Delay (tRCD)	19
Row Precharge Delay (tRP)	19
Activate to Precharge Delay (tRAS)	32
Количество чипов каждого модуля	16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания	1.2 В
Количество ранков	2

• Характеристики

Модуль памяти DIMM DDR4 16Gb, 2666Mhz, Samsung (M378A2K43CB1-CTD) - это высокопроизводительный компонент, который обеспечивает быструю и стабильную работу вашего компьютера.

Тип памяти DDR4 и форм-фактор DIMM 288-контактный обеспечивают высокую скорость и надежность работы.

Тактовая частота 2666 МГц и пропускная способность 21300 МБ/с позволяют обрабатывать большие объемы данных и запускать ресурсоемкие приложения без задержек.

Объем одного модуля составляет 16 ГБ, что позволяет увеличить производительность системы и работать с большими объемами данных.

Напряжение питания 1.2 В гарантирует стабильную работу модуля памяти и предотвращает возможные проблемы с питанием.

Количество чипов каждого модуля составляет 16, а двусторонняя упаковка чипов обеспечивает равномерное распределение тепла и продлевает срок службы модуля памяти.

Количество рангов 2 гарантирует высокую производительность и стабильность работы.

CL (CAS Latency) составляет 19, что обеспечивает быстрое выполнение команд и повышает производительность системы.

tRAS (Activate to Precharge Delay) равен 32, что позволяет быстро обрабатывать данные и выполнять задачи без задержек.

tRCD (Row Precharge Delay) и tRP (RAS to CAS Delay) равны 19, что обеспечивает стабильную работу и высокую производительность.

Выбирая модуль памяти DIMM DDR4 16Gb, 2666Mhz, Samsung (M378A2K43CB1-CTD), вы получаете надежный и высокопроизводительный компонент для вашего компьютера, который обеспечит стабильную работу и быстрый отклик системы.